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全球IGBT半导体产业市场规模及销量统计
更新日期:2019-01-04   来源:中国国际招标网   点击:159  

 

 

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT按缓冲区的有无来分类,缓冲区是介于P+发射区和N-飘移区之间的N+层。无缓冲区者称为对称型IGBT,有缓冲区者称为非对称型IGBT。因为结构不同,因而特性也不同。非对称型IGBT由于存在N+区,反向阻断能力弱,但其正向压降低、关断时间短、关断时尾部电流小;与此相反,对称型IGBT具有正反向阻断能力,其他特性却不及非对称型IGBT。目前商品化的IGBT单管或模块大部分是非对称型IGBT。

构成本土IGBT市场需求主体主要为智能电网、高铁建设、电机节能与家电节能这四大领域。中国在智能电网与高铁建设领域拥有国际领先技术,这些领域对IGBT国产化需求迫切,而这种国产化突破更包含了IGBT技术的突破(该领域IGBT技术壁垒最高)。家电节能以空调、冰箱与洗衣机为主,这些领域中国家电企业已经具备一定的国际竞争力,更为IGBT国产化扫清了认知障碍。因此,庞大的市场基础与需求方对IGBT技术国产化的迫切需求共同推动中国本土企业的技术创新,加速我国IGBT国产化进程:

据美国半导体行业协会统计数据:2015年12月,全球半导体产业销售额为276.2亿美元,较上年同期的291.3亿美元下降4.4%;2015年1-12月全球半导体产业销售额达到3335.2亿美元,同比下降0.2%。

2007-2014年全球半导体产业销售额

资料来源:美国半导体行业协会

博思数据发布的《2017-2022年中国IGBT功率模块市场深度调研与投资前景研究报告》,2015年12月美洲半导体产业销售额度为5.75亿美元,同比下降14.5%,环比下降5.2%;欧洲市场销售额为2.77亿美元,同比下降7.9%,环比下降5.7%;日本市场销售额为2.57亿美元,同比下滑8.1%;环比下降为4.4%。

IGBT的工业应用包括交通控制、功率变换器、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备,以及用于自动控制的变频器。在消费方面,IGBT用于家用电器、相机和手机等。

据Infineon统计:2010年全球IGBT市场规模为30.06亿美元,2011年全球IGBT市场规模激增至40.34亿美元,增速达34%。当中Infineon公司IGBT销售业务从2010年的6.1亿美元上升至2011年的7.8亿美元。2012-2013年全球IGBT市场规模下滑较为明显,2014年全球IGBT市场规模回升至38.45亿美元,2015年全球IGBT市场规模回落至36.21亿美元。

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